Биполярный транзистор с гетеропереходом (HBT) - это тип транзистора с биполярным переходом (BJT), в котором используются различные полупроводниковые материалы для эмиттерной и базовой областей, образуя гетеропереход. HBT может обрабатывать сигналы гораздо более высоких частот (до нескольких сотен ГГц), чем BJT. HBT широко используются в современных сверхбыстродействующих схемах, в основном в радиочастотных (РЧ) системах, а также в приложениях, требующих высокой энергоэффективности, таких как РЧ усилители мощности в мобильных телефонах. Идея использования гетероперехода так же стара, как и традиционный BJT, и восходит к патенту 1951 года.