Биполярный транзистор с гетеропереходом

Биполярный транзистор с гетеропереходом (HBT) - это тип транзистора с биполярным переходом (BJT), в котором используются различные полупроводниковые материалы для эмиттерной и базовой областей, образуя гетеропереход. HBT может обрабатывать сигналы гораздо более высоких частот (до нескольких сотен ГГц), чем BJT. HBT широко используются в современных сверхбыстродействующих схемах, в основном в радиочастотных (РЧ) системах, а также в приложениях, требующих высокой энергоэффективности, таких как РЧ усилители мощности в мобильных телефонах. Идея использования гетероперехода так же стара, как и традиционный BJT, и восходит к патенту 1951 года.

Материалы

Принципиальное различие между BJT и HBT заключается в использовании различных полупроводниковых материалов для эмиттерной и базовой областей, что создает гетеропереход. Это ограничивает инжекцию дырок из базы в область эмиттера, поскольку потенциальный барьер в валентной полосе выше, чем в полосе проводимости. В отличие от технологии BJT, это позволяет использовать в базе высокую плотность легирования. Высокая плотность легирования снижает сопротивление базы при сохранении коэффициента усиления. Эффективность гетероперехода измеряется коэффициентом Кромера.

Полосы в градуированном гетеропереходе npn биполярного транзистора. Указаны барьеры для движения электронов от эмиттера к базе и для инжекции дырок назад от базы к эмиттеру; также градация полосовой щели в базе помогает транспорту электронов в базовой области; светлые цвета указывают на обедненные области

Вопросы и ответы

В: Что такое гетеропереходный биполярный транзистор (HBT)?

В: Чем HBT отличается от BJT?

В: Каковы некоторые области применения HBT?

В: Когда появилась идея использования гетероперехода в BJT?

В: В чем преимущество использования ГБТ в радиочастотных системах?

В: В чем преимущество использования HBT в мобильных телефонах?

В: Какие области используются в HBT?

Поиск по букве